耳鼻咽喉-头颈外科「图解」206-161-听觉中枢神经假体

图-1. 听觉脑干植入物通过经皮射频发射器和接收器具有与人工耳蜗类似的刺激电极阵列。 A的内部组件，耳蜗ABI，Nucleus 24 ABI和B，Med-El CONCERTO ABI。 C，Nucleus 24 ABI电极阵列的放大视图。 D，CONCERTO ABI电极阵列和“放置”电极的放大视图。 (Courtesy Cochlear, Sydney, Australia, and Med-El, Innsbruck, Austria.)


图-2. 用于放置听觉脑干植入物（ABI）的区域。 A，左脑干的示意图。 ABI电极垫被放置在横向凹陷中。 显示切割的耳蜗前庭神经（VIII）。 B，从外侧枕下入路看到的左脑干和耳蜗核区域的图像。 矩形表示电极阵列的位置。 DCN，背侧耳蜗核; O，下橄榄体; VCN，腹侧耳蜗核。 罗马数字表示颅神经V，三叉神经; VII，面神经; VIII，耳蜗前庭神经; IX，舌咽神经; 和X，迷走神经。


图-3. 理想化的诱发听觉脑干反应产生的电刺激耳蜗核。 A，三波反应。 B，双向响应。 C，单波响应。 (From O’Driscoll M, El-Deredy W, Atas A, et al: Brain stem responses evoked by stimulation with an auditory brain stem implant in children with cochlear nerve aplasia or hypoplasia. Ear Hear 2011;32[3]:300-312.)


图-4. A，穿透性听觉脑干植入物的示意图，其具有用于表面刺入和刺入刺激的组合阵列。 B，穿透电极阵列的放大视图。 (Courtesy Cochlear, Sydney, Australia.)


图-5. A，人类原型听觉中脑种植体电极阵列的图像。 B，原位显示听觉中脑植入电极的下丘的示意图。 ICC，中央下丘; ICD，背下丘; ICX，外侧下丘; SC，上丘。 C，尾部; D，背部; F，频率; R，喙; L，侧面。 (A, Courtesy Cochlear, Sydney, Australia; B, Courtesy Medical University of Hannover, Germany.)